相對(duì)于常規(guī) VDMOS器件結(jié)構(gòu)， RDS(on)與BVSS存在矛盾關(guān)系，要想提高BVSS，一般都是從減小EPI摻雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI 摻雜濃度減小了，電阻必然變大，RDS(on)增大。否則就需要增大芯片面積，增大封裝外形，增加大量成產(chǎn)成本。所以對(duì)于普通 VDMOS，兩者之間的矛盾不可調(diào)和。

   采用超結(jié)(Super Junction，簡(jiǎn)稱SJ)工藝的高壓功率MOSFET，是通過(guò)設(shè)置一個(gè)深入EPI層的P柱區(qū)，通過(guò)提高電流傳導(dǎo)區(qū)的摻雜濃度，顯著降低單位面積導(dǎo)通電阻，但同時(shí)又不使耐壓受到影響，從而使其成為具有高耐壓和低電阻特性的一種新型器件。特殊的超結(jié)結(jié)構(gòu)讓高壓超結(jié)MOSFET的內(nèi)阻在同樣面積情況下降低到傳統(tǒng)平面MOSFET的1/5，開關(guān)損耗因此減為普通的VDMOSFET的1/2。

  與傳統(tǒng)的功率 MOSFET相比，SJ-MOSFET具有傳導(dǎo)損耗低、電流驅(qū)動(dòng)能力大、柵極電荷低、開啟電壓低、開關(guān)速度快、出色的非鉗位感性開關(guān)（Unclamped Inductive Switching， UIS）能力、百分之百的雪崩能量擊穿測(cè)試等優(yōu)點(diǎn)。

如上圖所示，目前主要有三種方法制作溝槽：

一、通過(guò)多次掩刻，反復(fù)注入摻雜，外延生長(zhǎng)得到P柱區(qū)，稱為多層外延（Multi-EPI）。此方法注入比較均勻，工藝品質(zhì)相對(duì)容易控制，但生產(chǎn)工序多，生產(chǎn)周期長(zhǎng)，成本相對(duì)較高。

二、直接挖出深溝槽（Deep-Trench）。通過(guò)在Ｎ型外延上開深溝槽，然后再利用外延工藝在溝槽內(nèi)生長(zhǎng)出Ｐ型單晶硅形成在Ｎ型外延上的Ｐ型區(qū)域，然后通過(guò)回刻工藝將槽內(nèi)生長(zhǎng)的Ｐ型外延單晶刻蝕到與溝槽表面平齊，以形成縱向Ｐ型區(qū)域。成本相對(duì)較低，但不容易保證溝槽內(nèi)性能的一致性。

三、傾斜角度注入（STM技術(shù)）。除了多次注入法，能保證在EPI中注入這么深，并且保證不同位置的濃度差異不大的方法還有STM技術(shù)（Super trench MOSFET）。采用傾斜角度注入，實(shí)現(xiàn) Super junction的結(jié)構(gòu)。

1.內(nèi)阻低，通態(tài)損耗降低  

   由于SJ-MOSFET的RDS(on)遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于VDMOS，在產(chǎn)品應(yīng)用過(guò)程中表現(xiàn)為SJ-MOSFET的通態(tài)損耗較之VDMOS大幅減少，減少發(fā)熱，從而提高了產(chǎn)品的能效比，SJ-MOSFET的這個(gè)優(yōu)點(diǎn)在大功率、大電流類的電源產(chǎn)品上，優(yōu)勢(shì)表現(xiàn)的尤為突出。

 2.封裝體積小，有利于功率密度的提高  

    首先，同等電流、電壓規(guī)格和同等功率條件下，SJ-MOSFET的晶圓面積要遠(yuǎn)小于VDMOS工藝的晶圓面積，從而便于封裝成更小尺寸的產(chǎn)品，有利于電源系統(tǒng)功率密度的提高，設(shè)計(jì)更小體積的電源電路。

其次，由于SJ-MOSFET的導(dǎo)通損耗的降低從而降低了電源類產(chǎn)品的損耗，減少了工作狀態(tài)下導(dǎo)通過(guò)程中的熱聚集，從而有利于縮減散熱器的體積，甚至取消散熱器，有效減小了線路板面積和產(chǎn)品外殼尺寸，有效的提高了產(chǎn)品的功率密度，降低成本。

   3.柵電荷小，降低了對(duì)電路的驅(qū)動(dòng)能力的要求  

    傳統(tǒng)VDMOS 的柵電荷相對(duì)較大，我們?cè)趯?shí)際應(yīng)用中會(huì)遇到由于IC的驅(qū)動(dòng)能力不足造成的溫升問(wèn)題，而在電路設(shè)計(jì)中為了增加IC的驅(qū)動(dòng)能力，確保MOSFET的快速導(dǎo)通，我們不得不增加推挽或其它類型的驅(qū)動(dòng)電路，從而增加了電路的復(fù)雜性。SJ-MOSFET 的柵電容相對(duì)比較小，這樣就可以降低其對(duì)驅(qū)動(dòng)能力的要求，提高了系統(tǒng)產(chǎn)品的可靠性。

    4.結(jié)電容小，開關(guān)速度加快，開關(guān)損耗小  

    由于SJ-MOSFET結(jié)構(gòu)的改變，其輸出的結(jié)電容也有較大的降低，從而降低了其導(dǎo)通損耗。同時(shí)由于SJ-MOSFET柵電容也有了相應(yīng)的減小，電容充放電時(shí)間變短，提高了SJ-MOSFET的開關(guān)速度與頻率，也有利于減小變壓器和電感尺寸。對(duì)于頻率固定的電源而言，可以有效的降低其開關(guān)損耗，提高整個(gè)電源系統(tǒng)的效率。應(yīng)用在頻率相對(duì)較高的電源上，收效更為明顯。

以上優(yōu)勢(shì)給客戶帶來(lái)整體BOM成本降低，電源效率提升。尤其是便攜式產(chǎn)品，滿足客戶對(duì)小型化、輕薄化、低溫升、高性價(jià)比、高效率、節(jié)能環(huán)保等方面的要求。